TSM130NB06CR RLG
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

TSM130NB06CR RLG

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Taiwan Semiconductor Corporation

ເລະທີ່ສ່ວນ:

TSM130NB06CR RLG-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 60V 10A/51A 8PDFN
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 60 V 10A (Ta), 51A (Tc) 3.1W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5.2x5.75)

ສິນຄ້າ:

4980 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12896927
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

TSM130NB06CR RLG ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Taiwan Semiconductor
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
10A (Ta), 51A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2380 pF @ 30 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
3.1W (Ta), 83W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
8-PDFN (5.2x5.75)
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-PowerLDFN
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
TSM130

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
2,500
ຊື່ ອື່ນໆ
TSM130NB06CRRLGDKR
TSM130NB06CRRLGTR
TSM130NB06CRRLGCT

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
taiwan-semiconductor

TSM60NB380CP ROG

MOSFET N-CH 600V 9.5A TO252

taiwan-semiconductor

TSM1NB60CP ROG

MOSFET N-CHANNEL 600V 1A TO252

taiwan-semiconductor

TSM2NB60CH C5G

MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO251

taiwan-semiconductor

TSM900N10CH X0G

MOSFET N-CH 100V 15A TO251